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RH6G040BGTB1  与  BSZ097N04LS G  区别

型号 RH6G040BGTB1 BSZ097N04LS G
唯样编号 A32-RH6G040BGTB1 A33-BSZ097N04LS G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 40V 95A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.6mΩ@40A,10V 14.2mΩ
上升时间 - 2.4ns
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 59W 35W
Qg-栅极电荷 - 18nC
栅极电压Vgs ±20V 10V
正向跨导 - 最小值 - 24S
典型关闭延迟时间 - 16ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT8 -
连续漏极电流Id 95A 40A
工作温度 -55℃~150℃ -55°C~150°C(TJ)
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
长度 - 3.3mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 2.8ns
典型接通延迟时间 - 3.5ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1900pF @ 20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 14µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 10V
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 100 5,000
工厂交货期 7 - 14天 21 - 28天
单价(含税)
1+ :  ¥6.4895
25+ :  ¥6.0088
100+ :  ¥5.5637
40+ :  ¥4.7912
50+ :  ¥4.2451
100+ :  ¥3.7755
500+ :  ¥3.7755
1,000+ :  ¥3.7659
2,000+ :  ¥3.7468
4,000+ :  ¥3.7276
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥6.4895 

阶梯数 价格
1: ¥6.4895
25: ¥6.0088
100: ¥5.5637
100 当前型号
BSZ097N04LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ097N04LSGATMA1_3.3mm

¥4.7912 

阶梯数 价格
40: ¥4.7912
50: ¥4.2451
100: ¥3.7755
500: ¥3.7755
1,000: ¥3.7659
2,000: ¥3.7468
4,000: ¥3.7276
5,000 对比
RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

暂无价格 100 对比
RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥6.4895 

阶梯数 价格
1: ¥6.4895
25: ¥6.0088
100: ¥5.5637
100 当前型号
RH6G040BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥4.5827 

阶梯数 价格
1,000: ¥4.5827
0 对比
BSZ097N04LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ097N04LSGATMA1_3.3mm

暂无价格 0 对比

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